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记忆体 Intel 基于 FinFET 的 MRAM 已

时间:2020-05-28 来源:U北生活 作者: 点击量:594次

最近 EETimes 发布的报告中指出,Intel 自己商用地 MRAM(磁阻随机存取储存器)已準备好在大批量生产中投入生产。

记忆体  Intel 基于 FinFET 的 MRAM 已

MRAM 是一种非易失性的储存技术,这意味着它即使在断电的情况下也会保留讯息,同时它还有不输于 DRAM 的容量密度及使用寿命,平均能耗也远低于 DRAM。由于不管是 DRAM 还是 NAND,製程微缩已遭遇瓶颈,相对 MRAM 未来製程微缩仍有许多发展空间,MRAM 因此备受期待,认为可以取代 DRAM 以及 NAND。

週二提交这篇论文的 Intel 工程师 Ligiong Wei 表示,Intel 嵌入式 MRAM 技术可在摄氏200度下实现长达10 年的记忆期,并可在超过100万个开关週期内实现持久性。MRAM 省电的特性,意味着 Intel 嵌入式 MRAM 将很有可能先用于移动设备上。并且嵌入式 MRAM 被认为特别适用于物联网 (IoT) 设备等应用,也赶搭上了 5G 世代的列车。


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